三星3纳米制程领先台积电?台湾专家表示不屑

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8月14日消息 据台湾媒体报道,三星展示了“环绕闸极”(GAA)制程技术,号称3纳米领先台积电一年。这到底是也有真的?

台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍,场效电晶体(FET)是最基本的电子元件,电子流入再流出,由2个 多闸极开关控制电子导通代表1或不导通代表0,科学家将它制作在硅晶圆上,是数字信号的最小单位,2个 多FET代表2个 多0或2个 多1,也不电脑里的2个 多位数。

“制程节点”代表闸极的“平均长度”,会随制程技术的进步而变小,当缩小到14纳米以下遇到问题图片图片,怎么让发明 了“鳍式场效电晶体(FinFET)”,怎么让5纳米以下又遇到问题图片图片,才总出 “环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲指出,GAA的原理很简单,也不增加闸极与电子通道的接触面积,都都里能增加控制效果减少漏电流。除了三星,各家晶圆厂早就在发展GAA,也不形状稍有不同,可能测试效果如此比FinFET好,良率又低,怎么让如此拿你你是什么专有名词来“唬人”而已。

曲建仲强调,三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差异不大,这次三星讲GAA也不用专有名词来唬外行人,报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电,“如此说也有想像力太富有,也不三星的营销比较厉害”。